青色発光材料での赤崎・天野・中村３氏のノーベル物理学賞の近くの分野で、私も研究してました：最前線研究者のひとりごと：SSブログ

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青色発光材料での赤崎・天野・中村３氏のノーベル物理学賞の近くの分野で、私も研究してました [編集]

今回のノーベル物理学賞を記念して、私が絡んだ窒化物結晶成長（ノーベル賞の受賞理由の隣接分野ですね）や、それと似た青色発光材料として期待されている酸化亜鉛(ZnO)の成長に関する第一原理計算の論文をまとめてみました。こうして見ると、かなり書いてますねぇ。でも窒化物だけをやっている実験研究室に比べると、すごく少ないです。

最初の論文が2002年なので、2000年くらいから窒化ガリウムの研究を始めたことになります。

A.Ishii, D.Miyake and T.Aisaka; First-Principle Calculation of the epitaxial growth of GaN(0001), Jpn.J.Appl.Phys. 41 (2002) L842-L845

A.Ishii; First Principles Study for Molecular Beam Epitaxial Growth of GaN(0001), Appl.Surf.Sci. 216 (2003) 437

A.Ishii, S.Koyama and T.Aisaka; First-Principle Calculation of the dynamics of nitrogen on the SiC(0001) surface during the epitaxial growth of GaN(0001) , Jpn.J.Appl.Phys. 42 (2003) 4636

J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima, K.Fujiwara and A.Ishii; Experimental and theoretical study on the structural properties of GaN grown on c-plane sapphire , Appl.Phys.Lett. 83, 3075 (2003).

A.Ishii and T.Aisaka; First-principles Calculation of the epitaxial growth of GaN(0001) ,phys.stat.sol. (c) 0 (2003) 2490

K.Fujiwara, A.Ishii, J.Ohta, H.Fujioka and M.Oshima; Experimental and theoretical investigation on the structural properties of InN grown on sapphire ,Thin Solid Films 464-465 (2004) 112-115

K.Fujiwara, A.Ishii, T.Abe and K.Ando; Epitaxial growth of ZnO crystal on the Si-terminated 6H-SiC(0001) surface using the first-principles calculation , eJSSNT 4 (2006) 254-257

K. Fujiwara, A. Ishii, T. Ebisuzaki, T. Abe, and K. Ando; First-Principles Calculation for the Polarity During ZnO Crystals Grown on the C-Terminated 6H-SiC(000-1) Surface , Japanese Journal of Applied Physics Vol.45 No.6A 2006, pp4926-4928

A. Kobayashi, Y. Kawaguchi, J. Ohta, H. Fujioka, K. Fujiwara, and A. Ishii; Polarity control of GaN grown on ZnO (000-1) surfaces , Appl. Phys. Lett. 88, 181907 (2006)

K. Fujiwara, A. Ishii, T. Ebisuzaki, T. Abe, and K. Ando; Theoretical investigation on the structural properties of ZnO grown on sapphire ,e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol. 4 (2006) No. 0 pp.544-547

K.Fujiwara, A.Ishii, T.Abe and K.Ando; Epitaxial growth of ZnO crystal on the C-terminated 6H-SiC(000-1) surface using the first-principles calculation , JJAP 45 (2006) 4926-4928

K Fujiwara, A Ishii, T Ebisuzaki, T Abe K Ando; Polarity Control of ZnO on N-Terminated GaN(000-1) Surfaces , Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 11, 2006, pp. 8578-8580

A.Ishii, Y.Oda and K.Fujiwara; DFT study for the anisotropic epitaxial growth of a-face ZnO(1120) , phys.stat.sol. (c)5, No.9(2008) 2726-2728

A.Ishii, T.Tatani, H.Asano and K.Nakada; Computational study for growth of GaN on graphite as 3D growth on 2D material , phys.stat.sol. (c) 7 347-350 (2010)

M.Yokoyama, A.Ishii and S.Tsukamoto; DFT calculation for Palladium Supported on S-terminated GaN as Green Chemical Catalyst , e-Journal SSNT Vol. 8 (2010) No. 0 pp.377-380

M.Yokoyama, S.Tsukamoto and A.Ishii; Density Functional Theory for Green Chemical Catalyst Supported on S-terminated GaN(0001) , phys.stat.sol. C8 (2011) 438-440

A.Ishii, T.Tatani and K.Nakada; Density Functional Calculation for growth of GaN on graphite as 3D growth on 2D material , phys.stat.sol. (c)8 (2011) 1585-1588

M.Yokoyama, M.Murayama, T.Tsukamoto and A. Ishii; DFT calculation for Green Chemical Catalyst with hydroxyl group supported on S-Terminated GaN(0001) , physica status solidi (c) 8 (2011) 1594-1596 doi: 10.1002/pssc.201100003

Atsushi Kobayashi, Tsuyoshi Ohnishi , Mikk Lippmaa , Yasuhiro Oda, Akira Ishii , Jitsuo Ohta , Masaharu Oshima , Hiroshi Fujioka; Polarity replication across m-plane GaN/ZnO interfaces, Appl.Phys. 99 (2011) 181910

K.Fujiwara, A.Ishii, T.Abe and K.Ando; Growth Mechanisms of ZnO(0001) Using the First-Principles Calculation, Appl.Phys. 112 (2012) 064301 - 064301-4

Y.Oda, A.Ishii and K.Fujiwara; DFT Study for Growth of m-Plane GaN/ZnO Interface, e-Journal of Surface Science and NanoTechnology 10 (2012) 221-225

2014-10-15 21:52 nice!(0) コメント(2) トラックバック(0)
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予想結果を先に公表したら、それが実際の選挙に影響を与えることは大いに考えられる。なのに単純に公表するようではこの分野の研究者としての質に疑問を感じざるを得ない。中立組織に予想結果を預けておき、選挙後、その組織から予想を公表してもらうことが出来たはず。
予想も実際の選挙結果もどちらも信憑性を大幅に失った。

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ＡＫＢ総選挙を数理モデル予想　鳥取大教授の上位７人は
2015年6月3日20時12分
　映画のヒット予測をする数理モデルを考案した石井晃・鳥取大学工学研究科教授（５８）＝物理学＝らが、アイドルグループＡＫＢ４８の第７回選抜総選挙を予測した。映画の方程式を総選挙にあてはめて分析したところ、１位は柏木由紀さんと出た。本番は６日に福岡市で開催予定。さて、結果はいかに。
石井教授は、投票したいという動機を①ファンによる「推しメン」（一押しのメンバー）についての情報発信（直接コミュニケーション）②各メンバーについてのうわさや評判など話題の広がり（間接コミュニケーション）③各メンバーのテレビ出演時間による広告宣伝効果、と分析。その上で各要素を数値化して、計算した。①と②はブログやツイッターでの各メンバーの名前や愛称の書き込み件数などから数値をはじき出した。
　ＡＫＢ４８の総選挙予測には２年前から取り組んでおり、昨年（前回）は予測通り渡辺麻友さんが１位になったという。
　今回は５月２０日に発表された速報（投票開始翌日の集計）の上位３２人のデータから、研究室の学生４人と予測した。注目したのは、間接コミュニケーションでメンバー間に大きな差がみられたこと。これが高いメンバーは浮動票を多く得る。石井教授は「１０票投票する人がいたとしたら８票は『推しメン』に入れ、残り２票を間接コミュニケーションが高いメンバーに投票することにつながる」という。
by あkb (2015-06-04 00:30)